手術(shù)室凈化工程

手術(shù)室凈化系統(tǒng)工程管理淺談靜電帶來(lái)的危害。凈化公司不僅要求高度潔凈的空氣（進(jìn)入手術(shù)室的空氣首先須經(jīng)高效過(guò)濾器凈化），而且要求能控制氣流的流通方向（即采用層流超凈裝置），使氣流從潔凈度高的手術(shù)區(qū)域流向潔凈度低的區(qū)域，并帶走和排出氣流中的塵埃顆粒（塵粒）和細(xì)菌；層流是一股細(xì)小、薄層的氣流，以均勻的流速向同一方向輸送；凈化氣流的方向分為垂直層流式和水平層流式兩種。醫(yī)院凈化工程不同級(jí)別的層流手術(shù)室其空氣潔凈度標(biāo)準(zhǔn)不同，例如國(guó)內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)I級(jí)層流手術(shù)室的標(biāo)準(zhǔn)為潔凈度5級(jí)，每立方尺空氣中≥0.5μm的塵粒數(shù)，≤100顆或每升空氣中≤3.5 顆。II級(jí)層流手術(shù)室的標(biāo)準(zhǔn)為潔凈度6級(jí)，每立方尺空氣中≥0.5μm的塵粒數(shù)，≤1000顆或每升空氣中≤35顆。凈化手術(shù)室為病人提供手術(shù)及搶救的場(chǎng)所，是醫(yī)院的重要技術(shù)部門。手術(shù)室應(yīng)與手術(shù)科室相接連，還要與血庫(kù)、監(jiān)護(hù)室、麻醉復(fù)蘇室等臨近。抓好手術(shù)切口感染四條途徑的環(huán)節(jié)管理，即：手術(shù)室的空氣；手術(shù)所需的物品；醫(yī)生護(hù)士的手指及病人的皮膚，防止感染，確保手術(shù)成功率。對(duì)于提高手術(shù)室凈化網(wǎng)絡(luò)工程企業(yè)來(lái)說(shuō)靜電是非常可怕的，它有自己一定的危險(xiǎn)，那您了解過(guò)它對(duì)手術(shù)室凈化建筑工程有哪些方法危害嗎，今天小編就來(lái)給大家科補(bǔ)一下這方面的專業(yè)知識(shí)。

1.靜電庫(kù)侖力。在靜電庫(kù)侖力的作用下，吸附的灰塵和污物造成元器件漏電或短路，損害性能，大大降低成品率和可靠性。例如，當(dāng)灰塵的粒徑為100μm，鋁線的寬度約為100μm，氧化膜的厚度為50μm時(shí)，產(chǎn)品最容易報(bào)廢。現(xiàn)在線徑更細(xì)，氧化膜很薄，粒徑很小的灰塵顆粒會(huì)損壞元器件。這種情況多發(fā)生在腐蝕清洗、光刻、點(diǎn)焊、封裝過(guò)程中。

2、靜電產(chǎn)生放電ESD。（1）元器件的絕緣材料氧化膜被擊穿，引線被燒斷或線間熔斷。若人體可以帶上10KV（100PF）的靜電荷，觸摸控制器件腳時(shí)發(fā)生ESD，其向大地公司瞬間沒(méi)有形成一個(gè)脈沖進(jìn)行放電工作電流達(dá)到峰值時(shí)間可達(dá)20A（10~100s），不要說(shuō)提高高密度，細(xì)線徑，薄SiO2膜的Lsi、Vlsi，就是我們一般IC、MOS都會(huì)自己遭受嚴(yán)重?fù)p壞。

一般來(lái)說(shuō)，器件絕緣柵極二氧化硅膜的電壓電阻場(chǎng)強(qiáng)度為E=（5-10）106V/cm。如果裝置二氧化硅膜厚度為1000，則裝置輸入腳施加的50V-100V以上的靜電壓將被突破，人體的靜電分別大于50V和100V是很常見(jiàn)的。

（2）產(chǎn)生噪聲并發(fā)出電磁波干擾。 ESD產(chǎn)生的EMI具有尖銳的前、后峰和強(qiáng)信號(hào)，相當(dāng)于電路中幾伏的能量，頻率跨越幾MH2至幾百M(fèi)H2的強(qiáng)噪聲可能導(dǎo)致部件損壞和設(shè)備和傳感器的異常操作。 甚至導(dǎo)致設(shè)備崩潰。 由ESD引起的EMI也可能導(dǎo)致輸入錯(cuò)誤信號(hào)，或者可能發(fā)生鎖存現(xiàn)象。 如果晶片的EMIF盒放置在潔凈室的鋼小車上，則晶片的ESD會(huì)通過(guò)感應(yīng)傳遞到小車上，輪子是絕緣的，EMI擴(kuò)散會(huì)導(dǎo)致晶片裝卸機(jī)崩潰。

（3）電擊人體。人體的ESD或?qū)θ梭w的ESD當(dāng)超過(guò)人體電擊極限電流5mA以上時(shí)，人都會(huì)有各種傷害感覺(jué)，造成工作人員的情緒不安，操作錯(cuò)誤。

雖然在半導(dǎo)體、平板顯示、光電等潔凈室方面做了大量的工作，但潔凈室的靜電問(wèn)題仍然影響著生產(chǎn)安全和產(chǎn)品良率、制造成本和效益、產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性。據(jù)國(guó)外工業(yè)專家估計(jì)，美國(guó)每年因靜電造成的產(chǎn)品損失平均為8-33%，有人估計(jì)美國(guó)每年靜電對(duì)電子工業(yè)的損害達(dá)100億美元。日本分析80年代廢棄電子產(chǎn)品，ESD造成的損失占1\\u002F3。在中國(guó)，半導(dǎo)體、平板液晶顯示器、光電子等。都起步晚，但靜電危害也時(shí)有發(fā)生，良品率低。但是，銀行、證券公司、機(jī)密數(shù)據(jù)庫(kù)、監(jiān)控中心、電力調(diào)度室等。，如果發(fā)生ESD，很容易造成干擾和數(shù)據(jù)丟失，情況會(huì)更加嚴(yán)重。